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探针电子束光刻机

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单探针电子束光刻系统 单探针电子束光刻系统

单探针电子束光刻系统

产品简介:

        在百及纳米科技(上海)有限公司、德国伊尔默瑙工业大学和nano analytik有限公司的技术专利基础上,百及纳米科技同德国nano analytik的中德团队致力于主动式探针技术在微纳米结构与器件制备及表征方面的研发,及其相关设备的产业化。

       公司推出的探针电子束光刻机P-SPL21,利用探针在近光刻胶表面发射低能电子的原理实现光刻效果。该系统的主要特点在于:(1)几乎无邻近效应,能实现3-5nm线宽的超精细光刻结构;(2)用于发射电子的探针同时具有原子力显微镜功能,能够实现亚纳米级精准定位并原位测量曝光图型;(3)超高写场拼接精度(≤2nm),且能够抑制电子束长时间产生的空间漂移(≤5nm)。百及纳米科技的探针电子束光刻系统能够实现光刻与原子力显微镜表征的双重功能,是一款理想的用于微纳制造和表征尺寸小于5nm线宽结构的一体化系统。

       尤其是针对二维材料,探针的电子束场发射可以直接辐照在二维材料(如MoS2,石墨烯等)表面形成感光反应,去除曝光区的二维材料,直接显影并呈现出预设的超精细结构,达到无需使用电子束光刻胶而直接转移图形的效果。

技术特点:

  • 探针光刻与原子力显微镜一体系统
  • 场发射低能电子束
  • 大气环境下可实现正负光刻
  • 几乎消除电子束临近效应
  • 最小线宽≤5nm,最小结构间距 ≤2nm
  • 套刻精度≤2nm,拼接精度≤2nm
  • 闭环控制电子束空间漂移(≤5nm)
  • Mix & Match 混合光刻模式
  • 原子力显微镜原位扫描光刻图案


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产品规格

光刻模式正光刻、负光刻
工作环境大气、真空
最小线宽5 nm (验收指标)
直写速度300 μm/s
套刻精度≤2nm
拼接精度≤2nm
最大光刻区域200 μm × 200 μm
最大样品尺寸直径:150 mm (6 英寸)
占用空间80 cm × 100 cm × 190 cm

探针扫描头配置

工作模式顶部XYZ扫描头
扫描范围 (XYZ)10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm
定位精度 (XYZ)0.01 nm;0.01 nm;0.01 nm
传感器压阻闭环传感
输入/输出频道3

样品台配置

工作模式底部XY定位器
运动范围 (XY)18 mm × 18 mm
可扩展150 mm × 150 mm
最大运动速度20 mm/s
运动精度7 nm
运动重复性80 nm (每100 μm)