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依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度电子束光刻机P21系列。
百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机P21是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国Raith公司的成熟机型上升级而成。该系列主要包括P21-2，P21-4和P21-6三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6英寸晶圆）及扩展使用功能。P21不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关键指标于一身，例如：
实现新颖的电子束闭环控制系统，实现电子束的原位检测与校正;
写场的超高精度拼接（误差 ≤ 2 – 8 nm）;
电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的相对空间漂移，将其位置稳定性提高到 ≤ 15 nm/h
百及纳米原子级制造尺度超高精度电子束光刻机P21系列，以常规电子束光刻机为载体，通过国际唯一性专利技术对其进行功能及性能指标的显著提升。P21光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新一代超高精度电子束光刻功能。
特征功能：
|
超高精度电子束光刻机 |
| 性能指标 | 传统电子束光刻机 | 百及新一代先进电子束光刻机P21 |
|---|---|---|
| 曝光控制机制 | 开环控制 | 闭环控制 |
| 原位自校准机制 | 没有 | 国际首创 |
| 拼接精度 | 100KV：10- 20 nm 30KV：30 – 50 nm | 100KV：≤ 2nm 30KV： ≤ 2nm |
| 电子束稳定性 | 漂移大 电子束位置漂移大（例如300 nm/h） （除非事先在样品上设置标记，破坏样品） | 漂移大幅降低 能直接检验和调整电子束位置偏移（≤ 15 nm/h） （无需在样品上设置标记） |
| 曝光图形质量 | 无法原位实时判断和修改 光刻效果只有拿出真空腔外显影以后知道 | 可以原位实时判断和修改 光刻效果直接检测（检测曝光剂量，曝光尺寸）， 可以及时修改和补曝光 |
| Mix & Match 混合光刻 | 不能 | 可以 传统电子束曝光 & 探针曝光 可以实现超细线条结构光刻(3-5 nm) |
光子晶体结构膜
圆形光栅震荡器
60纳米周期光栅
垂直隧道晶体管
百及闭环控制系统
高精度写场拼接
没有百及纳米闭环控制技术的拼接实例
使用百及纳米闭环控制技术改进后的拼接实例
| 设备性能主要参数 | |
|---|---|
| 主要功能 | 高分辨电子束曝光、成像 |
| 电子枪 | 肖特基热场发射 |
| 加速电压 | 20 V – 30 kV |
| 束电流范围 | 5 pA – 20 nA |
| 电子束束斑 | ≤ 1.6 nm |
| 最小光刻线宽 | ≤ 10 nm |
| 束流漂移 | ≤ 0.5%/hour |
| 图形发生器扫描频率 | ≥ 5 MHz（可选20 MHz） |
| 曝光写场尺寸 | ≤ 1000 μm |
| 晶圆样品尺寸 | 2英寸，4英寸，6英寸可选 |
| 写场横向拼接精度 | ≤ 2 – 8 nm |
| 电子束稳定工作模式 | 闭环控制电子束空间漂移 |
| 电子束位置稳定性 | ≤ 15 nm/h |
| 工作台移动范围 | 50mm×50mm×25mm (100mm×100mm×25mm， 150mm×150mm×25mm可选) |
电 话：17880167056
邮 箱：parcan@parcantech.com
